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NRE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICP刻蝕系統(tǒng)：自動(dòng)上下載片，帶ICP等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪?shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NDR-4000（M）DRIE深反應(yīng)離子刻蝕：是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8“ ICP源。系統(tǒng)配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。

NDR-4000（A）全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕：全自動(dòng)上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8“ ICP源。系統(tǒng)配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕系統(tǒng)：是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。 NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)。